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晶体管
APT75GN60LDQ3G参考图片

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APT75GN60LDQ3G

  • Microsemi
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  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi
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库存:1,620(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥90.061
90.061
10
¥81.0662
810.662
25
¥73.8455
1846.1375
50
¥68.7718
3438.59
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-264-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.45 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
155 A
Pd-功率耗散
536 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
155 A
高度
5.21 mm
长度
26.49 mm
工作温度范围
- 55 C to + 175 C
宽度
20.5 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
155 A
栅极—射极漏泄电流
600 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
10.600 g
商品其它信息
优势价格,APT75GN60LDQ3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET NFET DFN8 40V 53A 10MOHM
1:¥12.2153
10:¥10.3734
100:¥8.2942
500:¥7.2659
1,500:¥5.6048
4,500:查看
参考库存:22233
晶体管
MOSFET P-Ch Enh Mode FET Vdss -30V 25Vgss
10,000:¥2.9267
参考库存:22238
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 5A 50V
1:¥5.8421
10:¥4.7912
100:¥3.0962
1,000:¥2.486
参考库存:22243
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor PNP -.1A -50V 47kohm
1:¥1.4577
10:¥1.1865
100:¥0.42262
1,000:¥0.29154
8,000:¥0.18419
24,000:查看
参考库存:22248
晶体管
MOSFET SIPMOS Sm-Signal 60V 120mOhm 2.9A
1:¥5.1528
10:¥4.3166
100:¥2.7911
1,000:¥2.2374
4,000:¥2.2374
参考库存:21845
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