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晶体管
STF28NM60ND参考图片

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STF28NM60ND

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET Nchanl 600V 0120 Ohm typ 24 A Pwr MOSFET
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数量单价合计
1
¥51.0986
51.0986
10
¥46.1831
461.831
25
¥44.0248
1100.62
100
¥38.2618
3826.18
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
23 A
Rds On-漏源导通电阻
150 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
62.5 nC
Pd-功率耗散
35 W
配置
Single
封装
Tube
系列
STF28NM60ND
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
27 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
21.5 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
92 ns
典型接通延迟时间
23.5 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格,STF28NM60ND的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-Ch MOS -50A -60V 90W 6290pF 0.0138
1:¥13.6052
10:¥10.9836
100:¥8.7575
500:¥7.6727
2,000:¥5.9212
4,000:查看
参考库存:30966
晶体管
MOSFET -30V -25A P-Channel
1:¥7.0738
10:¥6.0116
100:¥4.6217
500:¥4.0906
2,500:¥2.8589
10,000:查看
参考库存:98703
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR NPN 50V
1:¥3.2996
10:¥2.3391
100:¥1.07576
1,000:¥0.82264
3,000:¥0.69947
参考库存:123935
晶体管
MOSFET -30V P-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥8.4524
10:¥7.1529
100:¥5.4918
500:¥4.859
1,000:¥3.8307
2,500:¥3.8307
参考库存:60967
晶体管
MOSFET TAPE7 PWR-MO
1:¥3.2996
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
3,000:¥0.89948
参考库存:93054
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