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晶体管
STH315N10F7-2参考图片

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STH315N10F7-2

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package
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库存:8,331(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥41.7987
41.7987
10
¥35.5724
355.724
100
¥30.8151
3081.51
250
¥29.1992
7299.8
1,000
¥22.1254
22125.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H2PAK-2
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
180 A
Rds On-漏源导通电阻
2.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
180 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
315 W
配置
Single
资格
AEC-Q101
商标名
STripFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STH315N10F7-2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
40 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
108 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
148 ns
典型接通延迟时间
62 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STH315N10F7-2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 0.1A TRANSISTOR LOG
1:¥2.4634
10:¥1.5707
100:¥0.65314
1,000:¥0.44522
3,000:¥0.33787
参考库存:22110
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥4.1471
10:¥3.4691
100:¥2.1244
1,000:¥1.6385
3,000:¥1.4012
参考库存:16707
晶体管
MOSFET T6 60V NCH LL IN U8FL
1:¥8.7575
10:¥7.4467
100:¥5.7178
500:¥5.0511
5,000:¥3.5369
10,000:查看
参考库存:22117
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small Sig Transistor NPN
1:¥3.842
10:¥2.7798
100:¥1.5933
1,000:¥1.1639
8,000:¥0.9379
24,000:查看
参考库存:40614
晶体管
MOSFET N-Ch 55V 20A TDSON-8
1:¥10.5994
10:¥9.0626
100:¥6.9721
500:¥6.1585
5,000:¥4.3053
10,000:查看
参考库存:2966
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