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晶体管
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R6025FNZC8

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数量单价合计
1
¥40.9512
40.9512
10
¥34.804
348.04
100
¥30.1258
3012.58
360
¥28.589
10292.04
720
¥25.6623
18476.856
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3PF-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
25 A
Rds On-漏源导通电阻
140 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
85 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
150 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
9 S
下降时间
72 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
115 ns
工厂包装数量
360
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
150 ns
典型接通延迟时间
57 ns
零件号别名
R6025FNZ
单位重量
2 mg
商品其它信息
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参考库存:2139
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