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晶体管
IRFHM8363TRPBF参考图片

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IRFHM8363TRPBF

  • Infineon / IR
  • 最新
  • MOSFET 30V DUAL N-CH HEXFET 14.9mOhms 15nC
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数量单价合计
1
¥6.3732
6.3732
10
¥5.3788
53.788
100
¥4.1358
413.58
500
¥3.6612
1830.6
4,000
¥2.5538
10215.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PQFN-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
16.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
15 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.7 W
配置
Dual
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
3.3 mm
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
20 S
下降时间
33 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
94 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
SP001565948
单位重量
33 mg
商品其它信息
优势价格,IRFHM8363TRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET PFET 30V 1.95A 20MO
1:¥3.0736
10:¥2.5538
100:¥1.5594
1,000:¥1.2091
3,000:¥1.02943
参考库存:69110
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1:¥3.1527
10:¥2.1922
100:¥1.01474
1,000:¥0.77631
4,000:¥0.66105
参考库存:193062
晶体管
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1:¥5.763
10:¥4.7686
100:¥3.0849
1,000:¥2.4634
参考库存:30894
晶体管
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1:¥3.9211
10:¥3.8985
25:¥3.2431
100:¥2.9267
参考库存:22411
晶体管
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1:¥9.9892
10:¥8.5315
100:¥6.5427
500:¥5.7743
2,500:¥4.0454
10,000:查看
参考库存:16613
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