您好！欢迎来到隆乾胜芯城 登录 注册

产品分类

首 页 商品目录 品牌专区 BOM配单 品牌入驻 自营现货
晶体管
FDC6506P参考图片

图片仅供参考， 请参阅产品规格

  • 分享到：
  • 0

FDC6506P

购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式，3分钟内即可给您回复
  • *联系人：
  • *电话：
  • QQ：
  • *邮箱：
 公司名：  微信：
库存：92,674(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.3053
4.3053
10
¥3.616
36.16
100
¥2.3391
233.91
1,000
¥1.8645
1864.5
3,000
¥1.5707
4712.1
询价数量：
加入询价单立即询价
相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SSOT-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
1.8 A
Rds On-漏源导通电阻
170 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
960 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
FDC6506P
晶体管类型
2 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
1.6 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
3 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
7 ns
零件号别名
FDC6506P_NL
单位重量
30 mg
商品其它信息
优势价格，FDC6506P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RJH60F0DPQ-A0#T0
Renesas Electronics
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
暂无价格
参考库存:34507
JANS2N2904AL
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Transistor
50:¥568.7742
100:¥556.864
参考库存:34512
RN4990(T5L,F,T)
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50volts 6Pin 4.7Kohms
暂无价格
参考库存:34517
ALD212908ASAL
Advanced Linear Devices
晶体管
MOSFET Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
50:¥36.1939
100:¥34.4989
250:¥30.1936
500:¥29.3574
参考库存:34522
AUIRGS30B60KTRR
Infineon / IR
晶体管
IGBT 晶体管 600V AUTO ULTRAFAST 10-30 KHZ IGBT
暂无价格
参考库存:34527
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市隆乾胜科技有限公司

电话：0755-82331103

手机：13048971103

传真：0755-82331102

Email：1531762882@qq.com

Q Q：

地址：深圳市福田区南园路66号佳兆业中心B座2F


微信联系我们

Copyright © 2010-2021 深圳市隆乾胜科技有限公司 粤ICP备2021106032号