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晶体管
RD3H045SPFRATL参考图片

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RD3H045SPFRATL

  • ROHM Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET Pch -45V Vdss -4.5A TO-252(DPAK); TO-252
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数量单价合计
1
¥8.9948
8.9948
10
¥7.684
76.84
100
¥5.9325
593.25
500
¥5.2432
2621.6
1,000
¥4.1358
4135.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
45 V
Id-连续漏极电流
4.5 A
Rds On-漏源导通电阻
155 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
12 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
15 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 P-Channel
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
3 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
8 ns
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥875.5127
参考库存:49973
晶体管
MOSFET CONSUMER
1,500:¥1.2091
3,000:¥1.02943
10,500:¥0.9605
25,500:¥0.91417
参考库存:49978
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥918.8482
参考库存:49983
晶体管
达林顿晶体管 SMD Small Signal Transistor NPN
6,000:¥1.07576
9,000:¥0.99892
24,000:¥0.94468
45,000:¥0.92208
99,000:¥0.89157
参考库存:80037
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥1,192.2517
5:¥1,162.8943
10:¥1,134.9268
25:¥1,093.6592
参考库存:49990
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