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晶体管
STP18N55M5参考图片

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STP18N55M5

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-Ch 550V 0.18 Ohm 13A Mdmesh M5
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数量单价合计
1
¥23.3571
23.3571
10
¥19.8202
198.202
100
¥17.2099
1720.99
250
¥16.2946
4073.65
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
550 V
Id-连续漏极电流
13 A
Rds On-漏源导通电阻
240 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
31 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
90 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STP18N55M5
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9.5 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
29 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格，STP18N55M5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NGTD21T65F2WP
ON Semiconductor
晶体管
IGBT 晶体管 650V/40A CN86 FAST IGBT U
240:¥18.7467
250:¥17.8314
500:¥15.9782
1,000:¥13.447
参考库存:37336
DMN1019USN-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 12V N-Ch Enh Mode FET 8Vgss 0.68W
10,000:¥0.82264
参考库存:44645
U233
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JFET Dual JFET N-Ch -50V 50mA 300mW 10Vgs
1:¥127.6335
10:¥107.35
100:¥98.7394
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参考库存:44650
MMRF1020-04NR3
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
250:¥1,688.2539
参考库存:44655
IMX18T208
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL
10,000:¥0.9831
20,000:¥0.90626
50,000:¥0.86784
100,000:¥0.83733
参考库存:44660
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