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晶体管
IPW65R048CFDAFKSA1参考图片

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IPW65R048CFDAFKSA1

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数量单价合计
1
¥116.1075
116.1075
10
¥106.7285
1067.285
25
¥102.2763
2556.9075
100
¥90.1288
9012.88
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
63.3 A
Rds On-漏源导通电阻
43 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
270 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
21.1 mm
长度
16.13 mm
系列
CoolMOS CFDA
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.21 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
240
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
85 ns
典型接通延迟时间
22 ns
零件号别名
IPW65R048CFDA IPW65R48CFDAXK SP000895318
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，IPW65R048CFDAFKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FF450R12ME4EB11BPSA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥1,647.1445
5:¥1,607.4928
10:¥1,567.6151
25:¥1,545.6366
参考库存:3947
BUK9616-75B,118
Nexperia
晶体管
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
1:¥8.8366
10:¥7.4806
100:¥5.7517
500:¥5.0737
800:¥4.0115
参考库存:27869
PSMN045-80YS,115
Nexperia
晶体管
MOSFET N-CHAN 80V 17A
1:¥4.2262
10:¥3.5256
100:¥2.147
1,000:¥1.6724
1,500:¥1.6724
参考库存:32021
FDC653N
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET SSOT-6 N-CH 30V
1:¥4.9946
10:¥4.1584
100:¥2.5312
1,000:¥1.9549
3,000:¥1.6724
参考库存:48873
FF1400R17IP4
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 1400A 1700V
1:¥6,098.4066
5:¥6,000.8989
参考库存:3895
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