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晶体管
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IPD50R399CPATMA1

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数量单价合计
1
¥13.3679
13.3679
10
¥11.3678
113.678
100
¥9.0626
906.26
500
¥7.9891
3994.55
2,500
¥6.1585
15396.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
9 A
Rds On-漏源导通电阻
399 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
17 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
83 W
配置
Single
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
CoolMOS CE
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
80 ns
典型接通延迟时间
35 ns
零件号别名
IPD50R399CP SP001117700
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IPD50R399CPATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PMDXB950UPEZ
Nexperia
晶体管
MOSFET 20 V, dual P-channel Trench MOSFET
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
5,000:¥0.71416
参考库存:50939
ULN2004AS16-13
Diodes Incorporated
晶体管
达林顿晶体管 High Volt Darlington 7Drivers 500mA 250ns
1:¥3.6838
10:¥3.0623
100:¥1.8645
1,000:¥1.4464
2,500:¥1.2317
参考库存:10931
2N6491G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 15A 80V 75W PNP
1:¥6.6896
10:¥5.65
100:¥4.3392
500:¥3.8307
1,000:¥3.0284
参考库存:5283
APT56M50L
Microsemi
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS8
1:¥92.8182
10:¥84.3658
25:¥77.9926
50:¥73.7664
参考库存:1855
UMG1NTR
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL NPN 50V 30MA
1:¥2.8476
10:¥1.9549
100:¥0.90626
1,000:¥0.69156
3,000:¥0.59212
参考库存:7967
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