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晶体管
IRFS3307ZTRLPBF参考图片

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IRFS3307ZTRLPBF

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库存:62,634(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.436
19.436
10
¥16.5206
165.206
100
¥13.221
1322.1
500
¥11.526
5763
800
¥9.5259
7620.72
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
75 V
Id-连续漏极电流
128 A
Rds On-漏源导通电阻
5.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Qg-栅极电荷
110 nC
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
230 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
320 S
下降时间
65 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
64 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001565042
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IRFS3307ZTRLPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR SPCL TR
1:¥2.8476
10:¥1.8306
100:¥0.78422
1,000:¥0.60681
10,000:¥0.4068
20,000:查看
参考库存:252899
晶体管
MOSFET NCh 30V 0.0032Ohm 20A MOSFET
1:¥14.0572
10:¥11.9102
100:¥9.5259
500:¥8.3733
2,500:¥6.441
5,000:查看
参考库存:17501
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi
1:¥249.6509
5:¥238.43
10:¥230.9833
25:¥212.2366
参考库存:2513
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN VHF/UHF AM
1:¥37.8098
10:¥33.7305
100:¥30.736
250:¥27.7415
参考库存:2135
晶体管
达林顿晶体管 PNP Darlington 8A 100V
1:¥5.6048
10:¥4.6669
100:¥3.0171
1,000:¥2.4182
参考库存:46107
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