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晶体管
APT75GN120JDQ3参考图片

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APT75GN120JDQ3

  • Microsemi
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  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi
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数量单价合计
1
¥249.6509
249.6509
5
¥238.43
1192.15
10
¥230.9833
2309.833
25
¥212.2366
5305.915
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
SOT-227-4
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
124 A
Pd-功率耗散
379 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
124 A
高度
9.6 mm
长度
38.2 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
25.4 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
124 A
栅极—射极漏泄电流
600 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
30 g
商品其它信息
优势价格，APT75GN120JDQ3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
D3S080N65D-U
D3
晶体管
MOSFET 80 mOhm 650V Superjunction Power MOSFET in TO-247
600:¥20.2044
1,020:¥17.063
2,520:¥16.2155
5,010:¥15.594
参考库存:50779
TSM70N600ACL X0G
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 700V, 8A, 0.6 N Channel Power Mosfet
4,000:¥6.78
10,000:¥6.6444
参考库存:50784
RSD221N06TL
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET Trans MOSFET N-CH 60V 22A
2,500:¥3.9211
10,000:¥3.7855
25,000:¥3.6612
参考库存:50789
IFN403
InterFET
晶体管
JFET JFET N-Channel Dual
62:¥115.5651
100:¥106.3443
250:¥96.9766
500:¥90.5921
参考库存:50794
BC857C TR
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 50Vcbo Trans 45Vce 5.0Vebo 100mA
18,000:¥0.40002
24,000:¥0.36838
45,000:¥0.32996
99,000:¥0.31527
参考库存:935848
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