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晶体管
NSS20300MR6T1G参考图片

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NSS20300MR6T1G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 3A 20V Low VCEsat
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数量单价合计
1
¥4.0002
4.0002
10
¥3.0171
30.171
100
¥1.6385
163.85
1,000
¥1.2317
1231.7
3,000
¥1.05994
3179.82
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-6
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 20 V
集电极—基极电压 VCBO
- 30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
- 0.25 V
最大直流电集电极电流
- 5 A
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
NSS20300MR6
直流电流增益 hFE 最大值
400
高度
0.94 mm
长度
3 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.5 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
- 3 A
Pd-功率耗散
545 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
20 mg
商品其它信息
优势价格,NSS20300MR6T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 430V 20A 1.6V Vce Ignition IGBT
1:¥11.4469
10:¥9.831
100:¥7.5032
500:¥6.6331
1,000:¥5.2319
2,500:¥4.6443
参考库存:12216
晶体管
MOSFET Power MOSFET N-Channel
1:¥43.957
10:¥35.2673
100:¥32.1937
250:¥29.041
参考库存:2218
晶体管
MOSFET LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V
1:¥2.0001
10:¥1.2882
100:¥0.53788
1,000:¥0.36838
3,000:¥0.27685
参考库存:50550
晶体管
MOSFET 20V 3.7A 0.039Ohm
1:¥5.1528
10:¥4.5765
100:¥3.5595
500:¥2.6668
3,000:¥2.6668
参考库存:255722
晶体管
MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH
1:¥7.684
10:¥6.5879
100:¥5.0511
500:¥4.4748
1,000:¥3.5256
参考库存:5994
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