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晶体管
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2N3866

  • Central Semiconductor
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN VHF/UHF AM
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数量单价合计
1
¥37.8098
37.8098
10
¥33.7305
337.305
100
¥30.736
3073.6
250
¥27.7415
6935.375
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-39-3
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
集电极—基极电压 VCBO
55 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3.5 V
集电极—射极饱和电压
1 V
最大直流电集电极电流
400 mA
增益带宽产品fT
500 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
系列
2N3866
封装
Bulk
商标
Central Semiconductor
集电极连续电流
0.4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
5 at 360 mA, 5 V
Pd-功率耗散
5 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
500
子类别
Transistors
零件号别名
2N3866 PBFREE
商品其它信息
优势价格,2N3866的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET SSOT-6 N-CH 60V
1:¥6.3054
10:¥5.2658
100:¥3.4013
1,000:¥2.7233
3,000:¥2.2939
参考库存:101653
晶体管
MOSFET N-Ch 150V 37A TO220FP-3 OptiMOS 3
1:¥34.2729
10:¥29.1201
100:¥25.2781
250:¥23.9786
500:¥21.5152
参考库存:7685
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 10.4A TO220FP-3
1:¥23.3571
10:¥19.8202
100:¥17.2099
250:¥16.2946
500:¥14.5996
参考库存:11257
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
1:¥18.0574
10:¥15.368
100:¥12.2944
500:¥10.7576
1,000:¥8.9157
参考库存:12689
晶体管
MOSFET 100V Comp Enh FET 20Vgs w/ H-Bridge
1:¥8.9157
10:¥7.6388
100:¥5.876
500:¥5.1867
1,000:¥4.0906
3,000:¥4.0906
参考库存:33521
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