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晶体管
ZXMN6A07FQTA参考图片

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ZXMN6A07FQTA

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R 3K
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数量单价合计
1
¥3.616
3.616
10
¥3.0623
30.623
100
¥1.8645
186.45
1,000
¥1.4464
1446.4
3,000
¥1.2317
3695.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
1.4 A
Rds On-漏源导通电阻
250 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
3.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
806 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
2.3 S
下降时间
2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1.4 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
4.9 ns
典型接通延迟时间
1.8 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,ZXMN6A07FQTA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET TO-251AA N-Ch Power
1:¥5.8421
10:¥4.8138
100:¥3.1075
1,000:¥2.486
参考库存:16095
晶体管
MOSFET NCH 4.5A 60V SOT-89
1:¥3.842
10:¥3.2318
100:¥1.9662
1,000:¥1.5255
2,000:¥1.2995
参考库存:1737
晶体管
IGBT 晶体管 600V 4 0A UFD
1:¥35.5046
10:¥30.1936
100:¥26.1256
250:¥24.8148
500:¥22.2836
参考库存:3564
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DC-DC CONVERTER
1:¥3.842
10:¥3.1866
100:¥1.9436
1,000:¥1.5029
2,000:¥1.2882
参考库存:23106
晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
1:¥3.4578
10:¥2.825
100:¥1.7176
1,000:¥1.3334
3,000:¥1.1413
参考库存:12918
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