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晶体管
STGP10NC60KD参考图片

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STGP10NC60KD

  • STMicroelectronics
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  • IGBT 晶体管 PowerMESH&#34 IGBT
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数量单价合计
1
¥8.7575
8.7575
10
¥7.5258
75.258
100
¥5.7856
578.56
500
¥5.1189
2559.45
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
Pd-功率耗散
25 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGP10NC60KD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
20 A
高度
9.15 mm
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
9 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,STGP10NC60KD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT 55V 53A 16.5mOhm 48nC
1:¥11.0627
10:¥9.379
100:¥7.2546
500:¥6.4071
800:¥5.0624
参考库存:8868
晶体管
MOSFET 20V 5.5A/-4.2A Complementary
1:¥4.7686
10:¥3.9324
100:¥2.5312
1,000:¥2.034
3,000:¥1.7176
参考库存:32555
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SRFC MNT BIAS RESTR TRANS
1:¥2.0792
10:¥1.4577
100:¥0.60681
1,000:¥0.41471
3,000:¥0.32318
参考库存:150732
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥15.9104
10:¥13.5261
100:¥10.8367
500:¥9.4468
5,000:¥7.0512
参考库存:137039
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL NPN 50V 100MA
1:¥3.5369
10:¥2.486
100:¥1.1413
1,000:¥0.87575
8,000:¥0.68365
24,000:查看
参考库存:9286
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