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晶体管
MG06400D-BN4MM参考图片

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MG06400D-BN4MM

  • Littelfuse
  • 最新
  • IGBT 模块 600V 400A Dual 150TVj
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数量单价合计
1
¥1,128.6214
1128.6214
5
¥1,106.496
5532.48
10
¥1,054.9341
10549.341
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Littelfuse
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
在25 C的连续集电极电流
400 A
栅极—射极漏泄电流
1.2 uA
Pd-功率耗散
1400 W
封装 / 箱体
Package D
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Bulk
系列
Dual IGBT
商标
Littelfuse
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
320 g
商品其它信息
优势价格,MG06400D-BN4MM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7
1:¥3.0736
10:¥2.0566
100:¥0.86106
1,000:¥0.58421
4,000:¥0.46104
参考库存:21080
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 30V
1:¥9.9892
10:¥8.4524
100:¥6.5427
500:¥5.7856
1,000:¥4.5652
2,500:¥4.5652
参考库存:6232
晶体管
MOSFET P-CH 20V 1A
1:¥4.9946
10:¥4.1132
100:¥2.5086
1,000:¥1.9323
3,000:¥1.6498
参考库存:15424
晶体管
MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
1:¥9.605
10:¥8.1473
100:¥6.2602
500:¥5.537
参考库存:8126
晶体管
MOSFET N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2
1:¥10.1474
10:¥8.6784
100:¥6.6896
500:¥5.9212
参考库存:11248
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