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晶体管
ZXT849KTC参考图片

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ZXT849KTC

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 30V
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数量单价合计
1
¥9.9892
9.9892
10
¥8.4524
84.524
100
¥6.5427
654.27
500
¥5.7856
2892.8
1,000
¥4.5652
4565.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DPAK-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
230 mV
最大直流电集电极电流
7 A
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZXT849
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
6.22 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
7 A
Pd-功率耗散
4200 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
350 mg
商品其它信息
优势价格,ZXT849KTC的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Enhanced Complimentary
1:¥3.2996
10:¥2.1244
100:¥1.03734
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.66105
参考库存:103526
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1015N/FM2F///REEL 13 Q2 DP
1:¥157.9062
5:¥150.9906
10:¥145.6909
25:¥127.0911
参考库存:4713
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 600V 160Ohm 70mA
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.66105
参考库存:151270
晶体管
MOSFET NFET DPAK 60V .150R TR
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.1696
1,000:¥1.6837
2,500:¥1.4351
参考库存:88062
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmesh M5 MOS
1:¥16.2946
10:¥13.8312
100:¥11.0627
500:¥9.7632
2,500:¥7.4806
5,000:查看
参考库存:15744
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