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晶体管
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STU7N60M2

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2
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数量单价合计
1
¥10.1474
10.1474
10
¥8.6784
86.784
100
¥6.6896
668.96
500
¥5.9212
2960.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
5 A
Rds On-漏源导通电阻
860 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
8.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
60 W
配置
Single
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STU7N60M2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
15.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.2 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19.3 ns
典型接通延迟时间
7.6 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，STU7N60M2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NTMFS6H848NT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T8 80V SG SO-8FL-U
1:¥6.9156
10:¥5.8873
100:¥4.52
500:¥4.0002
1,000:¥3.1527
1,500:¥3.1527
参考库存:9039
FS75R12KE3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 1200V 75A 3-PHASE
1:¥840.1663
5:¥824.7192
10:¥787.61
25:¥761.3262
参考库存:1666
BSM50GB60DLC
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 600V 50A DUAL
1:¥452.9718
5:¥442.7566
10:¥425.4676
25:¥411.7833
参考库存:1588
NSBC114TDP6T5G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL NBRT
1:¥3.1527
10:¥2.034
100:¥0.87575
1,000:¥0.66896
8,000:¥0.45313
24,000:查看
参考库存:24048
MG06300D-BN4MM
Littelfuse
晶体管
IGBT 模块 600V 300A Dual
1:¥938.6797
5:¥920.2381
10:¥877.3546
参考库存:24053
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