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晶体管
2N7002PW,115参考图片

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2N7002PW,115

  • Nexperia
  • 最新
  • MOSFET 60V 0.3A N-CHANNEL TRENCH MOSFET
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数量单价合计
1
¥2.0792
2.0792
10
¥1.3786
13.786
100
¥0.5763
57.63
1,000
¥0.40002
400.02
3,000
¥0.30736
922.08
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
310 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.6 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
0.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
310 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
2.2 mm
产品
MOSFET Small Signal
晶体管类型
1 N-Channel Trench MOSFET
宽度
1.35 mm
商标
Nexperia
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10 ns
典型接通延迟时间
3 ns
单位重量
5 mg
商品其它信息
优势价格,2N7002PW,115的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-CHAN -20V -9.4A
1:¥6.6896
10:¥5.7065
100:¥4.3844
500:¥3.8759
3,000:¥2.712
9,000:查看
参考库存:20332
晶体管
MOSFET -150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥16.0573
10:¥13.2888
100:¥10.2943
500:¥9.0626
1,000:¥7.4693
3,000:¥7.4693
参考库存:37824
晶体管
MOSFET 200V P-Channel QFET
1:¥9.2999
10:¥7.91
100:¥6.1133
500:¥5.4014
参考库存:10106
晶体管
IGBT 晶体管 600V Low VCEon Trench IGBT
1:¥63.5512
10:¥57.404
25:¥54.7824
100:¥47.5617
参考库存:7668
晶体管
MOSFET NFET 60V 20A 46MOHM
1:¥8.5315
10:¥7.2659
100:¥5.5822
500:¥4.9381
2,500:¥3.4465
10,000:查看
参考库存:12325
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