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晶体管
2DA1213Y-13参考图片

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2DA1213Y-13

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1W -50V
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库存:14,508(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.6838
3.6838
10
¥2.8137
28.137
100
¥1.5255
152.55
1,000
¥1.1413
1141.3
2,500
¥0.9831
2457.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 50 V
集电极—基极电压 VCBO
- 50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
- 500 mV
最大直流电集电极电流
- 2 A
增益带宽产品fT
160 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2DA12
直流电流增益 hFE 最大值
120 at 500 mA, 2 V
高度
1.5 mm
长度
4.5 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
2.5 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
Pd-功率耗散
1000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
52 mg
商品其它信息
优势价格,2DA1213Y-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 100V NCH ENHANCEMENT MODE TRANSISTOR
1:¥3.0736
10:¥2.1696
100:¥0.99892
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.65314
参考库存:160492
晶体管
IGBT 晶体管
1:¥92.9764
10:¥85.5184
25:¥81.9928
100:¥72.2296
参考库存:2434
晶体管
MOSFET SuperFET3 650V 190 mOhm, TO220F PKG
1:¥15.2098
10:¥12.9046
100:¥10.2943
500:¥9.0626
参考库存:12451
晶体管
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
1:¥16.9048
10:¥14.3736
100:¥11.526
500:¥10.0683
1,000:¥8.2942
5,000:¥8.2942
参考库存:37398
晶体管
MOSFET
1:¥22.1254
10:¥18.8258
100:¥15.0629
500:¥13.1419
2,500:¥10.1474
5,000:查看
参考库存:19595
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