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晶体管
IPP60R125P6参考图片

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IPP60R125P6

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数量单价合计
1
¥31.8886
31.8886
10
¥27.0522
270.522
100
¥23.4362
2343.62
250
¥22.2836
5570.9
500
¥19.9784
9989.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
113 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
56 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
219 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
CoolMOS P6
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
44 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
IPP60R125P6XKSA1 SP001114648
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPP60R125P6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20V N channel MOSFET
1:¥4.3053
10:¥3.3787
100:¥2.2939
500:¥1.582
3,000:¥1.05316
9,000:查看
参考库存:91611
晶体管
MOSFET -20V Vds 8V Vgs SC70-6
1:¥3.2996
10:¥2.4973
100:¥1.8645
500:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.1526
参考库存:31808
晶体管
MOSFET Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole
1:¥86.219
10:¥80.6029
25:¥75.6083
50:¥65.54
参考库存:3285
晶体管
MOSFET T6D3F 40V NFET
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.4524
500:¥7.4015
1,000:¥6.1359
1,500:¥5.7065
参考库存:17692
晶体管
MOSFET 40V Vds 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥9.2208
10:¥7.6275
100:¥5.8421
500:¥5.0285
3,000:¥3.7064
6,000:查看
参考库存:28214
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