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晶体管
STGF19NC60KD参考图片

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STGF19NC60KD

  • STMicroelectronics
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  • IGBT 晶体管 2A 6V SHORT CIRCUIT RUGGED IGBT
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库存:10,471(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥16.7466
16.7466
10
¥14.2154
142.154
100
¥11.3678
1136.78
500
¥9.9892
4994.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220FP-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
35 A
Pd-功率耗散
32 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGF19NC60KD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
16 A
高度
9.3 mm
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2.300 g
商品其它信息
优势价格,STGF19NC60KD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PDTC115EU/SC-70/REEL 13" Q1/T1
1:¥1.2317
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
10,000:¥0.18419
20,000:查看
参考库存:105584
晶体管
MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 4mOhms
1:¥29.2783
10:¥24.8939
100:¥21.5943
250:¥20.5208
800:¥15.5262
2,400:查看
参考库存:9586
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS7
1:¥117.407
5:¥112.8757
10:¥108.5704
25:¥99.8129
参考库存:25996
晶体管
MOSFET 12V 8.0A 3.8W 27mohm @ 4.5V
1:¥5.0737
10:¥3.8872
100:¥2.8928
500:¥2.373
3,000:¥1.6724
6,000:查看
参考库存:26001
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
2,500:¥3.6386
参考库存:26006
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