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晶体管
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PMV30UN2R

  • Nexperia
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  • MOSFET 20V N-channel Trench MOSFET
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数量单价合计
1
¥3.4578
3.4578
10
¥2.4069
24.069
100
¥1.10627
110.627
1,000
¥0.85315
853.15
3,000
¥0.72207
2166.21
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-236AB-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
5.4 A
Rds On-漏源导通电阻
32 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
6.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel Trench MOSFET
商标
Nexperia
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
26 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
7 ns
单位重量
27 mg
商品其它信息
优势价格，PMV30UN2R的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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