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晶体管
SUD19P06-60-GE3参考图片

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SUD19P06-60-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 60V 19A 38.5W 60mohm @ 10V
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数量单价合计
1
¥9.1417
9.1417
10
¥7.5258
75.258
100
¥5.7743
577.43
500
¥4.972
2486
1,000
¥3.9211
3921.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
18.3 A
Rds On-漏源导通电阻
60 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
26 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
38.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SUD
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
22 S
下降时间
30 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
65 ns
典型接通延迟时间
8 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
优势价格，SUD19P06-60-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BUK7Y41-80EX
Nexperia
晶体管
MOSFET N-channel 80 V 41 mo FET
1:¥4.5313
10:¥3.729
100:¥2.4069
1,000:¥1.9323
1,500:¥1.6272
参考库存:1631
2N7002K-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET N-Channel
1:¥1.5368
10:¥1.07576
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23843
参考库存:2318708
R5007FNX
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET Nch 500V 7A Power MOSFET
1:¥9.605
10:¥8.2264
100:¥6.2828
500:¥5.5596
1,000:¥4.3844
参考库存:2500
FMMT619TA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN SuperSOT
1:¥4.2262
10:¥3.5256
100:¥2.147
1,000:¥1.6611
3,000:¥1.4238
参考库存:165797
DTD143TKT146
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 500MA
1:¥2.9154
10:¥2.2148
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.77631
参考库存:3324
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