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晶体管
BSS192PH6327FTSA1参考图片

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BSS192PH6327FTSA1

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数量单价合计
1
¥4.1471
4.1471
10
¥3.4691
34.691
100
¥2.1244
212.44
1,000
¥1.6385
1638.5
2,000
¥1.4012
2802.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-SOT-89-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
250 V
Id-连续漏极电流
190 mA
Rds On-漏源导通电阻
12 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
- 4.9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.5 mm
长度
4.5 mm
系列
BSS192
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
2.5 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
190 mS
下降时间
50 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.2 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
72 ns
典型接通延迟时间
4.7 ns
零件号别名
BSS192P H6327 SP001047642
单位重量
130.500 mg
商品其它信息
优势价格，BSS192PH6327FTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FF1800R17IP5
Infineon Technologies
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IGBT 模块
1:¥8,726.3346
5:¥8,586.87
参考库存:3111
ADTA114EUAQ-13
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双极晶体管 - 预偏置 Prebias Transistor
1:¥1.5368
10:¥1.4238
100:¥0.49946
1,000:¥0.32996
10,000:¥0.22261
20,000:查看
参考库存:49908
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5:¥165.432
10:¥154.9908
25:¥139.3064
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1:¥21.5152
10:¥18.2834
100:¥15.8313
250:¥15.0629
500:¥13.5261
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STL13N60DM2
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晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.350 Ohm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV package
1:¥13.9894
10:¥11.9102
100:¥9.5259
500:¥8.2942
3,000:¥6.441
6,000:查看
参考库存:3674
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