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晶体管
SIHP21N65EF-GE3参考图片

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SIHP21N65EF-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
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库存:33,309(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥35.9566
35.9566
10
¥29.8094
298.094
100
¥24.5097
2450.97
250
¥23.7413
5935.325
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220AB-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
21 A
Rds On-漏源导通电阻
180 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
71 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
208 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.49 mm
长度
10.41 mm
系列
EF
宽度
4.7 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
42 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
34 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
68 ns
典型接通延迟时间
22 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,SIHP21N65EF-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET SUPERFET3 650V TO247 N-CHANNEL
1:¥42.3411
10:¥35.9566
100:¥31.1993
250:¥29.5834
参考库存:4255
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN+NPN SOT-563 50V VCC 0.1A IC
1:¥2.6894
10:¥1.7967
100:¥0.75258
1,000:¥0.51528
2,500:¥0.40002
8,000:¥0.34578
参考库存:120752
晶体管
MOSFET T6 40V LL S08FL DS
1:¥16.7466
10:¥14.2154
100:¥11.3678
500:¥9.9892
1,500:¥7.6727
4,500:查看
参考库存:13789
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 40 V, 7 mOhm typ., 54 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥7.8422
10:¥6.667
100:¥5.1302
500:¥4.5313
2,500:¥3.1753
10,000:查看
参考库存:27622
晶体管
IGBT 晶体管 The new 600V TRENCHSTOP Performance has been developed based on 600V TRENCHSTOP IGBT technology. The new IGBT series combines the best trade-off between conduction and switch-off energy with outstanding robustness and excellent EMI behavior.
1:¥39.7986
10:¥33.8887
100:¥29.3574
250:¥27.8206
500:¥24.973
参考库存:9876
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