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晶体管
CSD19531Q5AT参考图片

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CSD19531Q5AT

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET 100V,5.3mOhm,NexFET Power MOSFET
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数量单价合计
1
¥13.221
13.221
10
¥11.2209
112.209
100
¥8.9157
891.57
250
¥8.9157
2228.925
500
¥7.8422
3921.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
6.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
37 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.3 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD19531Q5A
晶体管类型
1 N-Channel
类型
NexFET Power MOSFET
宽度
4.9 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
82 S
下降时间
5.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.8 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18.4 ns
典型接通延迟时间
6 ns
商品其它信息
优势价格,CSD19531Q5AT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥8.4524
10:¥7.7631
25:¥6.4523
100:¥5.9212
250:¥5.4805
2,000:¥5.4805
参考库存:29406
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN DIGITAL TRANSISTOR (B
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
8,000:¥0.66896
24,000:查看
参考库存:29411
晶体管
MOSFET N-Channel 500V
1:¥49.946
10:¥41.4145
100:¥34.1147
250:¥33.0412
500:¥29.6625
1,000:¥29.6625
参考库存:11913
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 20V 5A
1:¥4.5313
10:¥3.7516
100:¥2.2939
1,000:¥1.7628
2,000:¥1.5029
参考库存:7150
晶体管
MOSFET DTMOSIV 600V 500mOhm 8A 80W 570pF 18.5nC
1:¥17.3681
10:¥13.9894
100:¥11.2209
500:¥9.831
参考库存:29420
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