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晶体管
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US6M11TR

  • ROHM Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET TRANS MOSFET N/P-CH 20V/12V 6PIN
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数量单价合计
1
¥4.2262
4.2262
10
¥3.4917
34.917
100
¥2.1357
213.57
1,000
¥1.6498
1649.8
3,000
¥1.4012
4203.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363T-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V, 12 V
Id-连续漏极电流
1.5 A, 1.3 A
Rds On-漏源导通电阻
180 mOhms, 260 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
1.8 nC, 2.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Dual
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
US6M11
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
3 ns, 9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns, 10 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns, 30 ns
典型接通延迟时间
5 ns, 8 ns
零件号别名
US6M11
单位重量
7.500 mg
商品其它信息
优势价格，US6M11TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STB60NF06T4
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp
1:¥12.5204
10:¥10.6785
100:¥8.5315
500:¥7.4919
1,000:¥6.2037
参考库存:8851
PUMH30,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7
1:¥2.4634
10:¥1.7176
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:18608
MUN2135T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP DIGITAL TRANSISTOR
1:¥1.3108
10:¥1.12209
100:¥0.40002
1,000:¥0.26103
3,000:¥0.20001
参考库存:167775
TP89R103NL,LQ
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch DTMOS VII-H 1.9W 630pF 15A 30V
1:¥5.4579
10:¥4.1697
100:¥2.6894
1,000:¥2.147
2,500:¥1.8193
参考库存:7302
IRLR3103TRPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 19mOhms 33.3nC
1:¥8.6106
10:¥7.3676
100:¥5.6613
500:¥5.0059
1,000:¥3.955
2,000:¥3.955
参考库存:6324
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