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晶体管
NGTB50N120FL2WAG参考图片

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NGTB50N120FL2WAG

  • ON Semiconductor
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  • IGBT 晶体管 1200V/50 FAST IGBT FSII T
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数量单价合计
1
¥42.1038
42.1038
10
¥35.7306
357.306
100
¥30.962
3096.2
250
¥29.4252
7356.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-4
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
200 A
Pd-功率耗散
536 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
NGTB50N120FL2WA
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
50 A
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
30
子类别
IGBTs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,NGTB50N120FL2WAG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 300V PNP
1:¥2.7685
10:¥2.0792
100:¥1.13
1,000:¥0.84524
参考库存:24190
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS MED PWR TAPE13
1:¥3.616
10:¥2.5651
100:¥1.1752
1,000:¥0.90626
4,000:¥0.7684
参考库存:39147
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual PNP
1:¥3.1527
10:¥2.6329
100:¥1.6611
1,000:¥1.243
3,000:¥1.05994
参考库存:12894
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7
1:¥2.4634
10:¥1.7176
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:40731
晶体管
IGBT 晶体管 FS2PIGBT TO3PN 30A 650V
1:¥28.3517
10:¥24.0464
100:¥20.905
250:¥19.8202
参考库存:6128
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