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NVMFD5C680NLWFT1G参考图片

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NVMFD5C680NLWFT1G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET T6 60V LL S08FL DS
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数量单价合计
1
¥6.3054
6.3054
10
¥5.4014
54.014
100
¥4.1471
414.71
500
¥3.6612
1830.6
1,500
¥2.5651
3847.65
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
26 A
Rds On-漏源导通电阻
23 mOhms, 23 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
5 nC, 5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
19 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
NVMFD5C680NL
晶体管类型
2 N-Channel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
50 S, 50 S
下降时间
23 ns, 23 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns, 25 ns
工厂包装数量
1500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns, 13 ns
典型接通延迟时间
6.4 ns, 6.4 ns
商品其它信息
优势价格，NVMFD5C680NLWFT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CGH27060F
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT VHF-3.0GHz, 60 Watt
1:¥1,206.8513
参考库存:5455
SIHF23N60E-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
1:¥26.2838
10:¥21.7412
100:¥17.8992
250:¥17.3681
500:¥16.1364
参考库存:50782
SSTA06T116
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 80V 0.5A
1:¥3.3787
10:¥2.3391
100:¥1.07576
1,000:¥0.82264
3,000:¥0.69947
参考库存:7452
SMBT 3904PN H6327
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
1:¥2.6103
10:¥1.7854
100:¥0.7458
1,000:¥0.50737
3,000:¥0.40002
参考库存:13859
2SAR572DGTL
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) I2C BUS 8Kbit EEPROM
2,500:¥2.6216
10,000:¥2.5199
25,000:¥2.4408
参考库存:50791
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