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晶体管
SIRC18DP-T1-GE3参考图片

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SIRC18DP-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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库存:45,467(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.4525
10.4525
10
¥8.6106
86.106
100
¥6.6557
665.57
500
¥5.7178
2858.9
1,000
¥4.52
4520
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
850 uOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
- 16 V, 20 V
Qg-栅极电荷
111 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
54.3 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIR
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
70 S
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
21 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
16 ns
商品其它信息
优势价格,SIRC18DP-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥150.3013
5:¥148.6854
10:¥138.6171
25:¥132.3908
参考库存:5236
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 0.18 Ohm 17A MDmesh II
1:¥46.7933
10:¥39.7986
100:¥34.4989
250:¥32.7361
500:¥29.3574
参考库存:7048
晶体管
MOSFET 30V DUAL N-CH MOSFET
1:¥2.2261
10:¥1.5481
100:¥0.64523
1,000:¥0.44522
3,000:¥0.34578
参考库存:274050
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual +/-60V +6.7A -5.9A 0.73W 130MHz
1:¥8.3733
10:¥7.0964
100:¥5.4579
500:¥4.8251
1,000:¥3.8081
参考库存:21742
晶体管
MOSFET -40V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR
1:¥6.1472
10:¥4.9042
100:¥3.729
500:¥3.0736
1,000:¥2.4634
2,500:¥2.2261
参考库存:31059
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