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STFU24N60M2参考图片

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STFU24N60M2

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra narrow leads package
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数量单价合计
1
¥18.984
18.984
10
¥16.1364
161.364
100
¥12.9046
1290.46
500
¥11.30
5650
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
18 A
Rds On-漏源导通电阻
190 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
29 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
30 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
高度
4.6 mm
长度
16.4 mm
系列
STFU24N60M2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
10.4 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
60 ns
典型接通延迟时间
14 ns
单位重量
2.300 g
商品其它信息
优势价格，STFU24N60M2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IGW75N60T
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 75A
1:¥51.4037
10:¥46.4882
25:¥44.2621
100:¥38.42
参考库存:3717
IKP20N65F5
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
1:¥22.1254
10:¥18.7467
100:¥14.9838
500:¥13.1419
参考库存:3764
STN3N45K3
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 450V 3.2 ohm 1.8 A SuperMESH3
1:¥6.3732
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
4,000:¥2.2939
参考库存:24831
AUIRFU4292
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET Automotive Logic Le mOhm, 13 nC Qg, IPAK
1:¥11.6051
10:¥9.9101
100:¥7.6049
500:¥6.7574
参考库存:6243
BD237
STMicroelectronics
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN General Purpose
1:¥6.3732
10:¥5.4466
100:¥4.181
500:¥3.6951
参考库存:11280
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