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晶体管
TP89R103NL,LQ参考图片

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TP89R103NL,LQ

  • Toshiba
  • 最新
  • MOSFET N-Ch DTMOS VII-H 1.9W 630pF 15A 30V
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数量单价合计
1
¥5.4579
5.4579
10
¥4.1697
41.697
100
¥2.6894
268.94
1,000
¥2.147
2147
2,500
¥1.8193
4548.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
15 A
Rds On-漏源导通电阻
10.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
9.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.9 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.68 mm
长度
4.9 mm
系列
TP89R103NL
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.9 mm
商标
Toshiba
下降时间
2.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.3 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
8.4 ns
单位重量
851 mg
商品其它信息
优势价格，TP89R103NL,LQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ZXMN6A07FTA
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 60V N-Chnl UMOS
1:¥4.0002
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
3,000:¥1.3334
参考库存:332097
2SA1873-Y(TE85L,F)
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) -150mA -50V
1:¥3.2318
10:¥1.7741
100:查看
3,000:¥0.44522
参考库存:2804
NVMFS5C670NLAFT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET TRENCH 6 60V NFET
1:¥6.6105
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
1,500:¥2.3843
参考库存:7321
SIR186DP-T1-RE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥9.7632
10:¥8.0682
100:¥6.1924
500:¥5.3223
1,000:¥4.2036
3,000:¥4.2036
参考库存:92363
SQJ570EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N Ch P Ch 100/-100V AEC-Q101 Qualified
1:¥8.8366
10:¥7.7631
100:¥6.3506
500:¥4.972
3,000:¥3.616
6,000:查看
参考库存:267645
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