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晶体管
C2M0160120D参考图片

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C2M0160120D

  • Wolfspeed / Cree
  • 最新
  • MOSFET SIC MOSFET 1200V RDS ON 160 mOhm
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库存:11,913(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥64.0032
64.0032
100
¥61.5511
6155.11
500
¥58.6244
29312.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
SiC
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1.2 kV
Id-连续漏极电流
17.7 A
Rds On-漏源导通电阻
160 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V, - 10 V
Qg-栅极电荷
32.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
125 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
4.1 S
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
30
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns
典型接通延迟时间
7 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,C2M0160120D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 32V 0.5A SOT-323
1:¥2.6103
10:¥1.7741
100:¥0.73789
1,000:¥0.50737
3,000:¥0.40002
参考库存:5246
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T2
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.571
500:¥6.6896
参考库存:8388
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR NPN 40V
1:¥2.9945
10:¥2.034
100:¥0.85315
1,000:¥0.5763
3,000:¥0.45313
参考库存:71955
晶体管
MOSFET MOSFT 36A 49.3nC 44mOhm LogLvAB
1:¥9.9101
10:¥8.4524
100:¥6.5088
500:¥5.7517
1,000:¥4.5426
参考库存:18827
晶体管
MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET
1:¥22.5096
10:¥19.1309
100:¥16.5997
250:¥15.7522
参考库存:4374
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