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晶体管
SIHB24N65E-GE3参考图片

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SIHB24N65E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
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数量单价合计
1
¥45.7989
45.7989
10
¥37.9567
379.567
100
¥31.1993
3119.93
250
¥30.2727
7568.175
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
700 V
Id-连续漏极电流
24 A
Rds On-漏源导通电阻
145 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
81 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
69 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
84 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
70 ns
典型接通延迟时间
24 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
优势价格，SIHB24N65E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PZTA64
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
达林顿晶体管 PNP Transistor Darlington
1:¥3.0736
10:¥2.3504
100:¥1.2769
1,000:¥0.9605
4,000:¥0.82264
参考库存:2893
BUK9628-100A,118
Nexperia
晶体管
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
1:¥10.6785
10:¥9.1417
100:¥6.9721
500:¥6.1585
800:¥4.859
参考库存:26030
CSD17309Q3
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晶体管
MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
1:¥8.2264
10:¥6.9947
100:¥5.3901
500:¥4.7686
2,500:¥3.3335
10,000:查看
参考库存:23552
APT75GN60BG
Microsemi
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single
1:¥60.8618
10:¥54.7824
25:¥49.8669
100:¥45.0305
参考库存:2494
PDTC114ET,215
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
1:¥1.3108
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.2147
参考库存:716601
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