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晶体管
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TN0106N3-G P002

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1
¥7.5258
7.5258
10
¥6.3054
63.054
25
¥5.2206
130.515
100
¥4.7686
476.86
2,000
¥3.0736
6147.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
350 mA
Rds On-漏源导通电阻
4.5 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
产品
MOSFET Small Signal
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Microchip Technology
下降时间
3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
6 ns
典型接通延迟时间
2 ns
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格，TN0106N3-G P002的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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5:¥280.0818
10:¥272.0927
参考库存:35099
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