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晶体管
IRL540NPBF参考图片

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IRL540NPBF

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库存:18,827(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.9101
9.9101
10
¥8.4524
84.524
100
¥6.5088
650.88
500
¥5.7517
2875.85
1,000
¥4.5426
4542.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
36 A
Rds On-漏源导通电阻
44 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
49.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
140 W
配置
Single
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
14 S
下降时间
62 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
81 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
39 ns
典型接通延迟时间
11 ns
零件号别名
SP001576440
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IRL540NPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH 60V HEXFET MOSFET
1:¥23.8995
10:¥19.8202
100:¥15.368
500:¥13.447
1,000:¥11.1418
参考库存:7185
晶体管
MOSFET -20V Single P-Ch. PowerTrench MOSFET
1:¥4.4522
10:¥3.7516
100:¥2.2939
1,000:¥1.7628
3,000:¥1.5029
参考库存:32327
晶体管
MOSFET 20V P-channel Trench MOSFET
1:¥3.2996
10:¥2.3165
100:¥1.06785
1,000:¥0.82264
10,000:¥0.63732
20,000:查看
参考库存:51419
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency - Single
1:¥56.2514
10:¥50.6353
25:¥46.104
100:¥41.6518
参考库存:2536
晶体管
MOSFET P-Channel Logic
1:¥3.0736
10:¥2.5538
100:¥1.5481
1,000:¥1.2091
3,000:¥1.02943
参考库存:95948
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