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晶体管
CSD17559Q5T参考图片

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CSD17559Q5T

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET 30V N-Ch NexFET Pwr MOSFET
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库存:25,501(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥22.2836
22.2836
10
¥18.9049
189.049
100
¥15.0629
1506.29
250
¥15.0629
3765.725
500
¥13.221
6610.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-Clip-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
1.15 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
51 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
96 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD17559Q5
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
235 S
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
41 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
32 ns
典型接通延迟时间
20 ns
商品其它信息
优势价格,CSD17559Q5T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET PT8 30V/20V NCH ERTREN
1:¥6.6105
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
3,000:¥2.3843
参考库存:16890
晶体管
MOSFET Dual N-Ch LogicLevel PowerTrench MOSFET
1:¥9.0626
10:¥7.7631
100:¥5.989
500:¥5.2997
1,000:¥4.181
2,500:¥4.181
参考库存:82972
晶体管
MOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥10.3734
10:¥9.1417
100:¥7.2433
500:¥5.6161
3,000:¥4.0228
6,000:查看
参考库存:2839
晶体管
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥7.8422
10:¥6.7348
100:¥5.1754
500:¥4.5765
1,000:¥3.616
2,500:¥3.616
参考库存:25291
晶体管
MOSFET 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
1:¥12.6786
10:¥10.4525
100:¥7.9891
500:¥6.9043
3,000:¥5.0963
6,000:查看
参考库存:38123
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