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晶体管
A2T18S262W12NR3参考图片

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A2T18S262W12NR3

  • NXP Semiconductors
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S262W12N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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数量单价合计
1
¥625.6358
625.6358
5
¥614.1098
3070.549
10
¥586.5152
5865.152
25
¥566.921
14173.025
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
3.2 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
19.3 dB
输出功率
56 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-880X-2
封装
Reel
工作频率
1805 MHz to 1880 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
1 Channel
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.4 V
零件号别名
935346497528
单位重量
3.790 g
商品其它信息
优势价格，A2T18S262W12NR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMTH6005LCT
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
50:¥7.6388
100:¥5.876
500:¥5.1867
1,000:¥4.0906
参考库存:23132
FDMA037N08LC
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET FET 80V 3.7 MOHM MLP33
1:¥10.6785
10:¥9.1417
100:¥6.9721
500:¥6.1585
3,000:¥4.3166
9,000:查看
参考库存:738134
TK15A50D(STA4,Q,M)
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 15A 500V 50W 2300pF 0.3
2,500:¥11.9102
5,000:¥11.4469
参考库存:25639
VP0550N3-G-P013
Microchip Technology
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥13.6052
10:¥13.3679
25:¥11.30
100:¥10.2152
2,000:¥7.0286
4,000:查看
参考库存:25644
N84C163WD30TG
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET CPU SUP WITH 16K EEPROM
1:¥12.6786
10:¥10.7576
100:¥8.6106
500:¥7.5032
3,000:¥5.7969
6,000:查看
参考库存:93146
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