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晶体管
TK560P60Y,RQ参考图片

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TK560P60Y,RQ

  • Toshiba
  • 最新
  • MOSFET N-Ch DTMOSV 600V 60W 380pF 7.0A
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数量单价合计
1
¥11.8311
11.8311
10
¥9.4468
94.468
100
¥8.2942
829.42
500
¥6.4297
3214.85
1,000
¥5.0737
5073.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DPAK-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
7 A
Rds On-漏源导通电阻
430 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
14.5 nC
最小工作温度
-
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
60 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
DTMOSV
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
TK560P60Y
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Toshiba
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
105 ns
典型接通延迟时间
50 ns
商品其它信息
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