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晶体管
SISH434DN-T1-GE3参考图片

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SISH434DN-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 40V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK 1212-8SH
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数量单价合计
1
¥10.7576
10.7576
10
¥9.5259
95.259
100
¥7.5258
752.58
500
¥5.8421
2921.05
1,000
¥4.6104
4610.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK1212-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
35 A
Rds On-漏源导通电阻
7.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
40 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
52 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIS
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
60 S
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
20 ns
商品其它信息
优势价格,SISH434DN-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20V P-Ch Enh FET 12Vgss 104W
1:¥14.6787
10:¥12.4526
100:¥9.9892
500:¥8.6784
1,000:¥7.2433
2,500:¥7.2433
参考库存:26106
晶体管
IGBT 晶体管
1:¥136.165
10:¥125.1701
25:¥120.0286
100:¥105.7341
参考库存:3543
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT 1200V 40A FS3 SOLAR/
1:¥43.7197
10:¥37.1092
100:¥32.1937
250:¥30.51
500:¥27.4364
参考库存:7855
晶体管
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
1:¥11.3678
10:¥9.6841
100:¥7.458
500:¥6.5879
5,000:¥4.6104
10,000:查看
参考库存:26682
晶体管
IGBT 晶体管 650V FS4 Trench IGBT
1:¥50.3302
10:¥42.8044
100:¥37.1092
250:¥35.1882
参考库存:3704
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