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晶体管
IPW65R095C7参考图片

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IPW65R095C7

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库存:1,756(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥46.0249
46.0249
10
¥39.1093
391.093
100
¥33.8887
3388.87
250
¥32.1937
8048.425
500
¥28.8941
14447.05
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
24 A
Rds On-漏源导通电阻
84 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
45 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
128 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
21.1 mm
长度
16.13 mm
系列
CoolMOS C7
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.21 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
240
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
60 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
IPW65R095C7XKSA1 SP001080128
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IPW65R095C7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 650V/80mOhm SiC CASCODE G3
1:¥87.5976
10:¥83.4505
25:¥77.2242
50:¥73.0771
参考库存:5225
晶体管
MOSFET BUK9M6R6-30E/MLFPAK/REEL 7" Q1
1:¥5.0737
10:¥4.2149
100:¥2.7233
1,000:¥2.1809
1,500:¥1.8419
参考库存:6737
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-7
1:¥4.5313
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
2,000:¥1.6724
参考库存:18214
晶体管
MOSFET 20V P channel MOSFET
1:¥4.0002
10:¥3.1527
100:¥2.147
500:¥1.4803
3,000:¥0.9831
9,000:查看
参考库存:64216
晶体管
MOSFET Wide Pad Dual Nchannel MOSFET
1:¥12.5995
10:¥10.2152
100:¥8.2264
500:¥7.119
1,000:¥5.8986
参考库存:26746
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