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晶体管
CGHV14800F参考图片

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CGHV14800F

  • Wolfspeed / Cree
  • 最新
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 800 Watt
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1
¥5,780.2099
5780.2099
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
14 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
24 A
输出功率
800 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
440117
封装
Tray
工作频率
1.2 GHz to 1.4 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 100 C
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
开发套件
CGHV14800F-TB
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3.8 V
商品其它信息
优势价格,CGHV14800F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET NFET SOT23 60V 310MA 2.5
1:¥1.2317
10:¥1.1865
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.20792
参考库存:587869
晶体管
IGBT 晶体管 1200V 40A FS2 Trench IGBT
1:¥51.1777
10:¥46.2622
25:¥44.1039
100:¥38.2618
参考库存:6741
晶体管
MOSFET 30V N-Ch ENH Mode 120mOhm 10VGS 3.3A
1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
2,000:¥1.11418
参考库存:169993
晶体管
MOSFET N-Channel UltraFET
1:¥25.6623
10:¥21.8203
100:¥18.9049
250:¥17.8992
500:¥16.0573
800:¥13.8312
参考库存:17995
晶体管
MOSFET N-CH 100V STD LEVEL MOSFET
1:¥9.605
10:¥8.1473
100:¥6.2489
500:¥5.5257
参考库存:30377
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