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晶体管
SQJQ906E-T1_GE3参考图片

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SQJQ906E-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 40V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
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数量单价合计
1
¥18.984
18.984
10
¥15.7522
157.522
100
¥12.2153
1221.53
500
¥10.6785
5339.25
1,000
¥8.9157
8915.7
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-8x8-4
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
95 A
Rds On-漏源导通电阻
2.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
34 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
50 W
配置
Dual
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SQ
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26 ns
典型接通延迟时间
14 ns
商品其它信息
优势价格，SQJQ906E-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2SA1577T106Q
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 32V 0.5A SOT-323
1:¥2.6103
10:¥1.7741
100:¥0.73789
1,000:¥0.50737
3,000:¥0.40002
参考库存:5246
IPI80N04S4-03
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T2
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.571
500:¥6.6896
参考库存:8388
SMMBT2222AWT1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR NPN 40V
1:¥2.9945
10:¥2.034
100:¥0.85315
1,000:¥0.5763
3,000:¥0.45313
参考库存:71955
IRL540NPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFT 36A 49.3nC 44mOhm LogLvAB
1:¥9.9101
10:¥8.4524
100:¥6.5088
500:¥5.7517
1,000:¥4.5426
参考库存:18827
IRFSL7730PBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET
1:¥22.5096
10:¥19.1309
100:¥16.5997
250:¥15.7522
参考库存:4374
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