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晶体管
NSV40302PDR2G参考图片

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NSV40302PDR2G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) COMP 40V NPN/PNP LO
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库存:12,972(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.3732
6.3732
10
¥5.2658
52.658
100
¥3.4013
340.13
1,000
¥2.7233
2723.3
2,500
¥2.2939
5734.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
晶体管极性
NPN, PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO
40 V
集电极—基极电压 VCBO
40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V, - 7 V
集电极—射极饱和电压
- 0.17 V
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
NSS40302P
直流电流增益 hFE 最大值
230
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
3 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
150
Pd-功率耗散
653 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
72 mg
商品其它信息
优势价格,NSV40302PDR2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN 18V 150mA 4GHZ
1:¥7.684
10:¥6.5088
100:¥5.0059
500:¥4.4183
1,000:¥3.4917
参考库存:19194
晶体管
MOSFET Discrete Auto N-Ch PowerTrench
1:¥23.4362
10:¥19.8993
100:¥17.289
250:¥16.3624
500:¥14.6787
800:¥14.6787
参考库存:10601
晶体管
MOSFET 30V N-ch Power MOSFET 6.15x5.1mm
1:¥11.30
10:¥9.9892
100:¥7.9891
500:¥6.3958
1,000:¥5.198
3,000:¥4.9946
参考库存:17738
晶体管
MOSFET PMCPB5530X/HUSON6/REEL 7" Q1/T
1:¥4.0002
10:¥3.4239
100:¥2.5538
1,000:¥1.5481
3,000:¥1.3786
参考库存:60450
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 75/80V
1:¥32.431
10:¥27.5042
100:¥23.8995
250:¥22.6678
参考库存:3837
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