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晶体管
MRF6V12250HR5参考图片

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MRF6V12250HR5

  • NXP / Freescale
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 250W 50V NI780H
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数量单价合计
1
¥1,834.4759
1834.4759
5
¥1,795.7508
8978.754
10
¥1,756.9466
17569.466
50
¥1,756.9466
87847.33
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
110 V
增益
20.3 dB
输出功率
27.5 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
0.96 GHz to 1.215 GHz
系列
MRF6V12250H
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.4 V
零件号别名
935310098178
单位重量
6.425 g
商品其它信息
优势价格,MRF6V12250HR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 1200V UltraFast 5-40kHz
1:¥164.5958
5:¥162.9008
10:¥151.8381
25:¥145.0016
参考库存:4616
晶体管
MOSFET 20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-75
1:¥4.5313
10:¥3.8307
100:¥2.8702
500:¥2.1018
3,000:¥1.4351
6,000:查看
参考库存:35468
晶体管
MOSFET Power MOSFET, N-CHL 30V, 168A, 2.6mOhm
1:¥10.1474
10:¥8.9948
100:¥7.0964
500:¥5.5031
2,500:¥3.9324
5,000:查看
参考库存:4900
晶体管
IGBT 晶体管 600V Warp2 150kHz
1:¥48.7934
10:¥44.1039
25:¥42.036
100:¥36.499
参考库存:7602
晶体管
MOSFET Sm Signal, Sw MOSFET N Chan, 20V, 0.2A
1:¥3.0736
10:¥1.9436
100:¥0.83733
1,000:¥0.63732
3,000:¥0.48364
参考库存:26409
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