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晶体管
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BSZ036NE2LS

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数量单价合计
1
¥6.3054
6.3054
10
¥5.3788
53.788
100
¥4.1358
413.58
500
¥3.6612
1830.6
5,000
¥2.5538
12769
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
3.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
16 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
37 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
44 S
下降时间
2.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.8 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
3.3 ns
零件号别名
BSZ036NE2LSATMA1 BSZ36NE2LSXT SP000854572
单位重量
100 mg
商品其它信息
优势价格，BSZ036NE2LS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PDTC115EUF
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PDTC115EU/SC-70/REEL 13" Q1/T1
1:¥1.2317
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
10,000:¥0.18419
20,000:查看
参考库存:105584
AUIRF1404STRL
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 4mOhms
1:¥29.2783
10:¥24.8939
100:¥21.5943
250:¥20.5208
800:¥15.5262
2,400:查看
参考库存:9586
APT30M75BLLG
Microsemi
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS7
1:¥117.407
5:¥112.8757
10:¥108.5704
25:¥99.8129
参考库存:25996
SI3471CDV-T1-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 12V 8.0A 3.8W 27mohm @ 4.5V
1:¥5.0737
10:¥3.8872
100:¥2.8928
500:¥2.373
3,000:¥1.6724
6,000:查看
参考库存:26001
DMPH3010LPSQ-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
2,500:¥3.6386
参考库存:26006
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