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晶体管
IPP60R105CFD7XKSA1参考图片

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IPP60R105CFD7XKSA1

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数量单价合计
1
¥39.4935
39.4935
10
¥33.5836
335.836
100
¥29.1201
2912.01
250
¥27.5833
6895.825
500
¥24.747
12373.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
21 A
Rds On-漏源导通电阻
105 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
42 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
106 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
94 ns
典型接通延迟时间
25 ns
零件号别名
IPP60R105CFD7 SP001715624
商品其它信息
优势价格,IPP60R105CFD7XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
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1:¥3.0736
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100:¥6.5427
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1,000:¥4.5652
2,500:¥4.5652
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1:¥4.9946
10:¥4.1132
100:¥2.5086
1,000:¥1.9323
3,000:¥1.6498
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晶体管
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1:¥9.605
10:¥8.1473
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1:¥10.1474
10:¥8.6784
100:¥6.6896
500:¥5.9212
参考库存:11248
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