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晶体管
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STD10N60DM2

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.26 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP package
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数量单价合计
1
¥10.9836
10.9836
10
¥9.379
93.79
100
¥7.1755
717.55
500
¥6.3393
3169.65
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
440 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
15 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
109 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
系列
STD10N60DM2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
11.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
28 ns
典型接通延迟时间
11 ns
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格，STD10N60DM2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRF6717MTRPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.25mOhms 46nC
1:¥18.5998
10:¥15.8313
100:¥12.6786
500:¥11.0627
4,800:¥8.2264
9,600:查看
参考库存:29549
STN4NF20L
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 200V 1.1 Ohm 1A LGC STripFET II
1:¥4.9155
10:¥4.1358
100:¥2.5199
1,000:¥1.9549
4,000:¥1.6724
参考库存:26871
NSS20300MR6T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 3A 20V Low VCEsat
1:¥4.0002
10:¥3.0171
100:¥1.6385
1,000:¥1.2317
3,000:¥1.05994
参考库存:27913
MMUN2234LT1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥0.84524
10:¥0.80682
100:¥0.28476
1,000:¥0.1921
3,000:¥0.14577
参考库存:93975
CPH6020-TL-E
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 0.15A 8V FT=16G
1:¥4.1471
10:¥3.4578
100:¥2.147
1,000:¥1.695
3,000:¥1.3786
参考库存:16652
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